[发明专利]标记结构的形成方法有效

专利信息
申请号: 201610079408.1 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN107037699B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 陆道亮;张宏伟;冯奎 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20;H01L23/544
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种标记结构的形成方法,包括:提供包括器件层的衬底,器件层表面具有介质层,介质层表面具有掩膜层,衬底包括标记区和器件区,标记区包括第二标记区以及包围第二标记区的第一标记区;采用第一刻蚀工艺刻蚀部分掩膜层直至暴露出介质层,在器件区内形成第一开口,在第一标记区内形成第一标记,在第二标记区形成标记开口,第一开口和标记开口的底部高于器件层表面,标记开口至少暴露出第二标记区的部分介质层;采用第二刻蚀工艺刻蚀第一开口底部和标记开口底部的介质层,在第一开口底部形成暴露出器件层的第二开口,在标记开口底部的介质层内形成第二标记;在第一开口和第二开口内形成导电结构。所形成的标记结构更清晰,有利于提高标记检测精度。
搜索关键词: 标记 结构 形成 方法
【主权项】:
1.一种标记结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底包括器件层、位于器件层表面的介质层、以及位于介质层表面的掩膜层,所述衬底包括标记区和器件区,所述标记区包括第二标记区以及包围所述第二标记区的第一标记区;采用第一刻蚀工艺刻蚀部分所述掩膜层直至暴露出所述介质层,在器件区内形成第一开口,在第一标记区内形成第一标记,并在第二标记区形成标记开口,所述第一开口和标记开口的底部高于器件层表面,所述标记开口至少暴露出第二标记区的部分介质层;采用第二刻蚀工艺刻蚀第一开口底部和标记开口底部的介质层,在第一开口底部形成暴露出器件层的第二开口,在所述标记开口底部的介质层内形成第二标记;在所述第一开口和第二开口内形成导电结构。
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