[发明专利]半导体装置及半导体装置的试验方法

摘要

本发明提供防止保护元件发生破坏且能够精度良好地检测与保护元件形成在同一半导体基板的设备的初期不良的半导体装置及半导体装置的试验方法。保护元件(10)是在n‑型半导体基板的正面具备p‑型阳极区(2)，在背面具备成为阴极层的n+型半导体层(8)的二极管。在p‑型阳极区(2)的内部相互分离地选择性地设有p++型接触区(3)和n+型高浓度区(11)。p++型接触区(3)配置在p‑型阳极区(2)的中央部，n+型高浓度区配置成包围p++型接触区的周围的大致矩形环状。p++型接触区(3)与GND焊盘(7)电连接。n+型高浓度区在通常时被开放，在筛选试验时经由第二布线层(13)与电位比GND焊盘高的电位短路。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：二极管，其是在第一导电型的半导体基板的表面层上选择性地设置第二导电型的第一半导体区而成的；第二导电型的第二半导体区，其选择性地设置在所述第一半导体区的内部，与所述第一半导体区相比杂质浓度高；第一导电型的第三半导体区，其选择性地设置在所述第一半导体区的内部，与所述第二半导体区分离，且与所述第二半导体区相比靠外侧；第一电极，其与所述第二半导体区电连接，且与第一电位连接；第二电极，其与所述半导体基板电连接，且与电位比所述第一电位高的第二电位连接；以及浮置电位的第三电极，其与所述第三半导体区电连接。