[发明专利]一种使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法在审
| 申请号： | 201610079679.7 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105762069A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 赵毅;翟东媛;张睿 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L29/417 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法，用电化学沉积技术在传统的场效应晶体管中制备金属电极和半导体之间的金属缓冲层；使用电化学沉积技术在肖特基源漏的场效应晶体管中制备源漏肖特基接触金属；在缓冲层或接触金属上再制备金属电极，所述的场效应晶体管包括PN结场效应晶体管和肖特基源漏的场效应晶体管，场效应晶体管的半导体衬底包括Si、Ge等各种半导体衬底材料；所沉积的金属层的厚度范围大，0.001‑1μm。能改善场效应晶体管源漏接触特性和简化源漏金属制备工艺，不需要通过传统光刻方法来实现选择性金属沉积，自身可通过材料表面导电性的差异来实现选择性的沉积，工艺复杂度大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 电化学 沉积 半导体 衬底 表面 选择性 生长 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种使用电化学沉积在半导体衬底表面选择性生长金属的方法，其特征是使用电化学沉积技术在传统的场效应晶体管中制备金属电极和半导体之间的金属缓冲层；使用电化学沉积技术在肖特基源漏的场效应晶体管中制备源漏肖特基接触金属；在缓冲层或接触金属上再制备金属电极，所述的场效应晶体管包括PN结场效应晶体管和肖特基源漏的场效应晶体管，场效应晶体管的半导体衬底包括Si、Ge、InP、InGaAs、GaAs、SiC等各种半导体衬底材料；所沉积的金属层的厚度范围大，0.001‑1μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
