[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610079724.9 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107039519B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王彦;韩秋华;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴敏<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有隔离层；在所述隔离层上由下到上依次形成牺牲层和图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述牺牲层直至暴露出隔离层的表面，在所述牺牲层中形成沟槽，所述沟槽的侧壁形成有若干对沟槽凸起，每对沟槽凸起分别位于沟槽两侧侧壁；形成填充满所述沟槽的鳍部，所述沟槽凸起内形成鳍部凸起；形成所述鳍部后，去除所述牺牲层和图形化的掩膜层。所述方法能够增强栅极结构的电场控制能力降低，改善短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有隔离层；/n在所述隔离层上由下到上依次形成牺牲层和图形化的掩膜层；/n以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述牺牲层直至暴露出隔离层的表面，在所述牺牲层中形成沟槽，所述沟槽的侧壁形成有若干对沟槽凸起，每对沟槽凸起分别位于沟槽两侧侧壁；/n形成填充满所述沟槽的鳍部，所述沟槽凸起内形成鳍部凸起，形成所述鳍部的工艺为选择性外延生长工艺；/n形成所述鳍部后，去除所述牺牲层和图形化的掩膜层。/n
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