[发明专利]一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法有效
| 申请号： | 201610079963.4 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105576125B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 叶尚辉;贾振宏;周舟;李兴鳌;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;G01N27/414 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于有机场效应晶体管技术领域。本发明提供了一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法，所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰层、活性半导体材料层和金源漏电极，其特征在于，n型掺杂硅栅极电极的边缘设置了栅极测试槽口和离子溶液槽口，所述活性半导体材料层选用TII(BFu)2。本发明所述晶体管对于不同离子呈现清晰的间隔排布，同时还对10‑6M到10‑2M的钠离子浓度有梯度变化的电流响应，适用于离子的检测。本发明方法测试结构简单便捷，摆脱了传统测试结构能耗较大的问题，测试过程中稳定性高，离子检测过程中选择性响应明显，并且耗材成本低廉，适用于大规模批量化生产及测试。 | ||
| 搜索关键词： | 有机场效应晶体管 离子检测 活性半导体 栅极电极 材料层 晶体管 槽口 检测 离子 十八烷基三氯硅烷 二氧化硅介电层 选择性响应 测试 边缘设置 测试过程 测试结构 传统测试 电流响应 耗材成本 间隔排布 离子溶液 梯度变化 漏电极 钠离子 批量化 修饰层 金源 能耗 清晰 生产 | ||
【主权项】：
1.一种用于离子检测的有机场效应晶体管，所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰层、活性半导体材料层和金源漏电极，其特征在于，n型掺杂硅栅极电极的边缘设置了栅极测试槽口和离子溶液槽口，所述活性半导体材料层选用TII(BFu)2；所述TII(BFu)2为p型有机材料，作为OFET活性层展示出很好的场效应特性，分子结构式如下：![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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