[发明专利]锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器及其制备、使用方法有效
| 申请号： | 201610080392.6 | 申请日： | 2016-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105609633B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张伟风;魏凌;刘鹏飞 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙)41104 | 代理人： | 刘建芳,李伊宁 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器，包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层，YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层，YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层，Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。本发明具有工作特性高度稳定、低能耗、可反复循环使用的优点，能够有效克服信息存储过程中产生的耗电和散热问题，同时具有优良的循环耐受性、保持特性和擦写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 锰酸钇 薄膜 台阶 能耗 存储器 及其 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
一种锰酸钇薄膜台阶低能耗阻变存储器，其特征在于：包括Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层和设置在Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层上表面的YMO薄膜台阶层，YMO薄膜台阶层包括YMO薄膜厚层和YMO薄膜薄层，YMO薄膜台阶层的上表面设置有金属上电极层，Pt/TiO2/SiO2/Si复合衬底层中的Pt层作为下电极层。
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