[发明专利]一种在基片上生长碳纳米管阵列的方法有效
| 申请号： | 201610080489.7 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105776173B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 郝云彩;巩前明;朱宏伟;余成武;梁士通;梅志武;李兆光;申坤;孟宪刚 | 申请（专利权）人： | 北京控制工程研究所 |
| 主分类号： | C01B32/16 | 分类号： | C01B32/16;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C16/26 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在基片上生长碳纳米管阵列的方法，步骤为：(1)采用表面微纳电化学工艺制备基片；(2)将基片置入碳纳米管反应炉中，往反应炉中通入氩气，并在氩气保护下将碳纳米管反应炉内部加热至碳纳米管生长所需温度；(3)当氩气充满碳纳米管反应炉后，调整氩气流量，同时向碳纳米管反应炉内通入氢气；(4)当氢气的流量稳定并充满碳纳米管反应炉后，向碳纳米管反应炉内通入液态碳源及催化剂；(5)根据碳纳米管阵列所需高度设定反应时间，反应完毕后，停止通入液态碳源及催化剂，并切断氢气；(6)将碳纳米管反应炉的生长区继续加热，通过热处理重融基片表面；(7)停止加热，并调小氩气的流量，待冷却至室温后从碳纳米管反应炉内取出基片样件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基片上 生长 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基片上生长碳纳米管阵列的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)采用表面微纳电化学工艺制备用于碳纳米管阵列生长的基片；(2)将所述基片置入碳纳米管反应炉中，往碳纳米管反应炉中通入100～200mL/min的氩气，并在氩气保护下将碳纳米管反应炉内部加热至碳纳米管生长所需温度；所述的碳纳米管反应炉包括生长区和蒸发区，其中生长区加热至780～860℃温度范围，蒸发区加热至250～300℃温度范围；(3)当氩气充满碳纳米管反应炉后，调整氩气流量到1000～2000mL/min，同时向碳纳米管反应炉内通入300～500mL/min的氢气；(4)当氢气的流量稳定并充满碳纳米管反应炉后，向碳纳米管反应炉内通入1～100mg/mL的液态碳源和催化剂混合溶液，所述的液态碳源和催化剂混合溶液首先经过碳纳米管反应炉的蒸发区变成气态后再进入碳纳米管反应炉的生长区；所述的液态碳源和催化剂混合溶液为二茂铁溶于二甲苯后的1～100mg/mL的溶液；(5)在碳纳米管反应炉的生长区内，根据碳纳米管阵列所需高度设定反应时间，反应完毕后，停止通入液态碳源和催化剂混合溶液，并切断氢气；(6)将碳纳米管反应炉的生长区加热至900～1000℃，通过热处理重融基片表面，提高碳纳米管阵列与基片的结合力；(7)停止加热，并调小氩气的流量至100～200mL/min，待冷却至室温后从碳纳米管反应炉内取出基片样件。
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