[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 201610081263.9 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105895155A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 细野浩司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第一、第二存储元；第一字线，其连接在第一、第二存储元的栅极；第一位线，其电性连接在第一存储元的一端；及第二位线，其电性连接在第二存储元的一端。写入动作包含对第一字线施加写入电压的第一动作、在第一动作之后对第一字线施加较写入电压低的第一电压的第二动作、及在第二动作之后对第一字线施加验证电压的第三动作。在第一存储元的阈值电压低于第一阈值且第二存储元的阈值电压为第一阈值以上时，在第二动作中对第一位线施加第二电压，且对第二位线施加较第二电压低的第三电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于具备：第一、第二存储元；第一字线，其连接在所述第一、第二存储元的栅极；第一位线，其电性连接在所述第一存储元的一端；及第二位线，其电性连接在所述第二存储元的一端；且写入动作包含对所述第一字线施加写入电压的第一动作、在所述第一动作之后对所述第一字线施加较所述写入电压低的第一电压的第二动作、及在所述第二动作之后对所述第一字线施加验证电压的第三动作，在所述第一存储元的阈值电压低于第一阈值且所述第二存储元的阈值电压为所述第一阈值以上时，在所述第二动作中对所述第一位线施加第二电压，且对所述第二位线施加较所述第二电压低的第三电压。
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