[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610081471.9 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105529366A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王质武 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括基板、形成于基板上的缓冲层以及形成于缓冲层上的有源层，还包括分别形成于有源层两侧的源极和漏极、形成于有源层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的栅极以及形成于栅极上的介电层，且介电层的材料为SiOx。由于本发明介电层中采用SiOx材料，此材料中的氢离子含量远低于SiNx，因此可以有效地降低因氢离子扩散在有源层中导致有源层漏电较多的问题，由此来改善金属氧化物薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，包括基板、形成于所述基板上的缓冲层以及形成于所述缓冲层上的有源层，其特征在于：所述金属氧化物薄膜晶体管还包括：分别形成于所述有源层两侧的源极和漏极；形成于所述有源层上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的栅极；形成于所述栅极上的介电层，所述介电层的材料为SiOx。
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