[发明专利]碳化硅半导体元件以及其制造方法有效
| 申请号： | 201610081810.3 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN107046059B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 颜诚廷;洪建中;洪湘婷;黄尧峯;李傳英 | 申请（专利权）人： | 瀚薪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/24;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体元件及其制造方法，包括一半导体层、一设置于该半导体层的一表面上的绝缘层、一设置于该绝缘层上的栅电极层、一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一浅掺杂区域以及一第三掺杂区域，该半导体层具有一第一导电性，该第一掺杂区域具有一第二导电性且具有一和该表面相隔一第一深度的顶部掺杂边界，该浅掺杂区域具有该第二导电性，该浅掺杂区域自该表面延伸至一浅掺杂深度，该第二掺杂区域邻接该浅掺杂区域且至少部分位于该第一掺杂区域内，该第三掺杂区域具有该第二导电性且至少部分与该第一掺杂区域重迭。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体元件，其特征在于，包含有：一具有一第一导电性的半导体层，该半导体层的材质为碳化硅且具有一表面；一设置于该半导体层的该表面上的绝缘层；一设置于该绝缘层上的栅电极层；一具有一相对该第一导电性的第二导电性的第一掺杂区域，该第一掺杂区域位于该半导体层内并具有一和该表面相隔一第一深度D1的顶部掺杂边界；一具有该第二导电性的浅掺杂区域，该浅掺杂区域位于该半导体层内且自该表面延伸至一浅掺杂深度d1；一具有该第一导电性的第二掺杂区域，该第二掺杂区域邻接该浅掺杂区域且至少部分位于该第一掺杂区域内；以及一具有该第二导电性的第三掺杂区域，该第三掺杂区域邻接该第二掺杂区域且至少部分与该第一掺杂区域重迭。
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