[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201610081970.8 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN106531778A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 伊藤宽吉;奥村秀树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备第1电极、第2电极、设置在第1电极与第2电极之间的第1导电型第1半导体区域、在第1半导体区域的第1方向上与第1半导体区域交替地设置的含有第2导电型杂质的第2半导体区域、设置在第2半导体区域内的第1绝缘体区域、设置在第1半导体区域上的第3电极、和设置在第3电极的周围的第2绝缘体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型第1半导体区域，设置在上述第1电极与上述第2电极之间；含有第2导电型杂质的第2半导体区域，在上述第1半导体区域的第1方向上与上述第1半导体区域交替地设置；第1绝缘体区域，设置在上述第2半导体区域内；第3电极，设置在上述第1半导体区域上；以及第2绝缘体区域，设置在上述第3电极的周围。
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