[发明专利]一种MOS晶体管NBTI效应R-D模型参数提取方法

摘要

本发明公开了一种MOS晶体管NBTI效应R‑D模型参数提取方法，包括如下步骤：线性变换确定拟合区间步骤：对测试数据的坐标系进行转换，并根据坐标轴的线性趋势选择曲线拟合区间；粗略提取模型参数所在范围步骤：设置待拟合的模型参数，将R‑D模型的非线性曲线利用线性变换转化为线性曲线，将线性曲线按线性拟合后得到方程组，解方程组得到模型参数的第一组解；调整模型参数，再得到模型参数的第二组解；由参数的两组解确定每个参数的范围；精确提取步骤：利用遗传算法进行参数优化，确定目标函数，再由每个模型参数已经得到的范围设定约束条件，最后执行算法计算得到模型参数的精确值。

主权项

1.一种MOS晶体管NBTI效应R‑D模型参数提取方法，其特征在于，包括如下步骤：线性变换确定拟合区间步骤：对测试数据的坐标系进行转换，并根据坐标轴的线性趋势选择曲线拟合区间；粗略提取模型参数所在范围步骤：设置待拟合的模型参数，将R‑D模型的非线性曲线利用线性变换转化为线性曲线，将线性曲线按线性拟合后得到方程组，解方程组得到模型参数的第一组解；调整所述模型参数，再得到模型参数的第二组解；由参数的两组解确定每个参数的范围；精确提取步骤：利用遗传算法进行参数优化，确定目标函数，再由每个模型参数已经得到的范围设定约束条件，最后执行算法计算得到模型参数的精确值；在所述拟合区间内提取所述R‑D模型参数的取值范围包括如下步骤：步骤a1：对晶体管在不同应力条件下进行NBTI退化测试，得到多组在不同应力条件下的关于晶体管阈值电压随时间变化的退化值；步骤a2：令R‑D模型中时间指数n的值为1/6，再根据每组所述退化值进行线性转换后分别拟合出参数值；步骤a3：利用所述模型参数表达式与拟合出的参数值计算得到所述模型参数的第一组解；步骤a4：令R‑D模型中时间指数n的值为1/4，重复步骤a2，a3得到第二组解；步骤a5：根据两组解确定参数解的范围，每个参数解的范围要求包括两个解所在的区间。