[发明专利]恒流二极管结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610082313.5 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105609569B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王英杰 | 申请（专利权）人： | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 610404 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种恒流二极管结构及其形成方法，在P型衬底正面上形成P型外延层，在P型外延层中形成N型基区，在N型基区中形成P型栅极区、N型源区、N型漏区、P型发射区，并形成包围N型基区的P型隔离。本发明通过在P型外延层中增设P型发射区，所述P型衬底、P型外延层、N型基区和P型发射区组成PNP三极管，所述N型源区、P型栅极区、N型基区、N型漏区组成恒流二极管，使得其单位面积电流大幅提高，器件的温度稳定性和均匀性较好。并且，所述恒流二极管结构增加了P型外延层，有利于提高其耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种恒流二极管结构，其特征在于，包括：P型衬底；形成于所述P型衬底正面上的P型外延层；形成于所述P型外延层中的N型基区；形成于所述N型基区中的P型栅极区、N型源区、N型漏区、P型发射区以及包围所述N型基区的P型隔离；形成于所述P型栅极区、N型源区以及P型发射区上的正面电极；其中，所述P型衬底、P型外延层、N型基区和P型发射区组成PNP三极管，所述N型源区、P型栅极区、N型基区、N型漏区组成恒流二极管。
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