[发明专利]具有负电容的FinFET及其制造方法及电子设备有效
| 申请号： | 201610082529.1 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105702738B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;朱正勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种具有负电容的多栅FinFET及其制造方法及包括该FinFET的电子设备，所述多栅FinFET的栅极之一与负电容连接。根据实施例，FinFET可以包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍；在衬底上鳍的第一侧沿与第一方向相交的第二方向延伸从而与鳍相交的第一栅；在衬底上鳍的与第一侧相对的第二侧沿第二方向延伸从而与鳍相交且与第一栅相对的第二栅；以及与第二栅串联连接的负电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容 finfet 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管FinFET，包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍；在衬底上鳍的第一侧沿与第一方向相交的第二方向延伸从而与鳍相交的第一栅；在衬底上鳍的与第一侧相对的第二侧沿第二方向延伸从而与鳍相交且与第一栅相对的第二栅，所述第二栅包括叠置的第二栅介质层和第二栅电极层；以及与第二栅串联连接的负电容器，且所述负电容器包括设置在第二栅介质层与第二栅电极层之间的负电容材料层。
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