[发明专利]集成电路器件有效
| 申请号： | 201610083064.1 | 申请日： | 2016-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105870167B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 崔正宪;严大耳;李宣姃;张星旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供集成电路器件。一种集成电路器件包括：源极/漏极区域，其具有在其顶部中的凹陷；接触插塞，其在源极/漏极区域上从凹陷内部延伸；以及金属硅化物层，其用作凹陷的衬里，并具有覆盖接触插塞的底面的第一部分和与第一部分成一体并覆盖接触插塞的侧面的下部的第二部分。硅化物层的第二部分可以具有与硅化物层的第一部分的厚度不同的厚度。硅化物层在相对低的温度形成，以在源极/漏极区域与接触插塞之间提供改善的电阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：衬底，其具有主表面、以及在所述主表面上竖直地突出并在平行于所述主表面的第一方向上纵向地延伸的鳍型有源区；栅线，其在与所述鳍型有源区交叉的第二方向上延伸；设置在所述栅线旁处于所述鳍型有源区的上部的源极/漏极区域，所述源极/漏极区域具有在其上部中的凹陷；接触插塞，其在垂直于所述衬底的所述主表面的第三方向上自所述凹陷内延伸，从而被设置在所述源极/漏极区域上；以及金属硅化物层，其沿所述源极/漏极区域的限定所述凹陷的表面延伸，所述金属硅化物层具有覆盖所述接触插塞的底表面的第一部分和与所述第一部分成一体并覆盖所述接触插塞的下部的侧面的第二部分，所述第一部分在所述第三方向上的厚度不同于所述第二部分在平行于所述衬底的所述主表面的方向上的厚度。
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