[发明专利]光掩模制造方法、检查方法及装置,描绘装置、显示装置制造方法有效
申请号: | 201610083100.4 | 申请日: | 2016-02-06 |
公开(公告)号: | CN105892227B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 剑持大介 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F1/68;G03F1/72;G03F1/80 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供光掩模制造方法、检查方法及装置,描绘装置、显示装置制造方法,可提高形成于被转印体的图案的坐标精度。本发明的光掩模的制造方法具有以下的工序:准备图案设计数据A的工序;获得表示由光掩模保持在曝光装置中引起的主表面的变形量的转印面形状数据C的工序;获得表示在描绘装置的工作台上载置光掩模坯体的状态下的主表面的高度分布的描绘时高度分布数据E的工序;算出描绘时高度分布数据E与转印面形状数据C的差值来获得描绘差值数据F的工序;估算与描绘差值数据F对应的坐标偏差量来求出描绘用坐标偏差量数据G的工序;以及采用描绘用坐标偏差量数据G和图案设计数据A在光掩模坯体上进行描绘的描绘工序。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 检查 装置 描绘 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模的制造方法,该方法包括准备在基板的主表面上形成有薄膜和光致抗蚀膜的光掩模坯体,并利用描绘装置来描绘预定的转印用图案的情况,在该光掩模的制造方法中,具有以下的工序:/n根据所述预定的转印用图案的设计来准备图案设计数据A的工序;/n准备通过测定所述主表面的表面形状而获得的基板表面形状数据B的工序;/n获得转印面形状数据C的工序,将所述光掩模保持在曝光装置内时根据保持部件的形状而在所述表面形状中产生的移位反映到所述基板表面形状数据B中而获得所述转印面形状数据C;/n获得描绘时高度分布数据E的工序,在所述描绘装置的工作台上使所述主表面成为上侧来载置所述光掩模坯体的状态下,测定所述主表面的高度分布而获得所述描绘时高度分布数据E;/n采用所述描绘时高度分布数据E和所述转印面形状数据C来获得描绘差值数据F的工序;/n估算所述主表面上的多个点处的与所述描绘差值数据F对应的坐标偏差量而求出描绘用坐标偏差量数据G的工序;以及/n采用所述描绘用坐标偏差量数据G和所述图案设计数据A在所述光掩模坯体上进行描绘的描绘工序。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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