[发明专利]含有分离电压产生器的三维一次电编程存储器有效
| 申请号： | 201610083717.6 | 申请日： | 2016-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN107046036B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种分离的三维一次电编程存储器（3D‑OTP）50，它含有至少一三维阵列芯片30和至少一电压产生器芯片40。至少一电压产生器位于电压产生器芯片40内，而非三维阵列芯片30内。电压产生器为三维阵列芯片30产生读/写电压。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 分离 电压 产生器 三维 一次 编程 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种分离的三维一次电编程存储器（3D‑OTP）(50)，所述3D‑OTP (50)含有相互耦合的一三维阵列芯片(30) 和一电压产生器芯片(40)，其特征在于：所述三维阵列芯片(30)含有至少一3D‑OTP阵列(36)，所述3D‑OTP阵列(36)含有多个相互堆叠的3D‑OTP存储元；所述电压产生器芯片(40)含有该3D‑OPT阵列(36)的至少一电压产生器，所述三维阵列芯片(30)不含该电压产生器；所述三维阵列芯片(30)的后端薄膜层数是所述电压产生器芯片(40)的互连线层数的至少两倍；所述三维阵列芯片(30)和所述电压产生器芯片(40)为两个不同的芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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