[发明专利]N型掺杂硅薄膜、其制备方法和包括其的太阳能电池有效
| 申请号： | 201610083958.0 | 申请日： | 2016-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105552143B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 彭文博;刘大为;高虎 | 申请（专利权）人： | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/028;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 赵囡囡,吴贵明 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种N型掺杂硅薄膜、其制备方法和包括其的太阳能电池。该制备方法包括以下步骤利用等离子体增强化学气相沉积工艺在位于反应室的太阳能电池半成品上沉积形成N型掺杂硅薄膜，等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括硅源气体、氢气和掺杂气体，其中，氢气与硅源气体流量比为801～1501，实施等离子体增强化学气相沉积工艺时，太阳能电池半成品的表面温度为50～70℃、等离子体增强化学气相沉积工艺的辉光功率密度为0.8W/cm2～1.5W/cm2，反应气压为500Pa～750Pa；形成的N型掺杂硅薄膜的晶粒尺寸小于5nm，能带宽度大于1.9eV，激活能小于0.1eV。以提高太阳能电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 薄膜 制备 方法 包括 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种N型掺杂硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：利用等离子体增强化学气相沉积工艺在位于反应室的太阳能电池半成品上沉积形成N型掺杂硅薄膜，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括硅源气体、氢气和掺杂气体，其中，氢气与硅源气体流量比为80:1～150:1，实施所述等离子体增强化学气相沉积工艺时，所述太阳能电池半成品的表面温度为50～70℃、所述等离子体增强化学气相沉积工艺的辉光功率密度为0.8W/cm2～1.5W/cm2，反应气压为500Pa～750Pa；形成的所述N型掺杂硅薄膜的晶粒尺寸小于5nm，能带宽度大于1.9eV，激活能小于0.1eV。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，未经中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610083958.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
