[发明专利]低温烧结Mg11B2同位素超导块体及方法

摘要

本发明涉及低温烧结Mg¹¹B₂同位素超导块体及方法；将Mg粉和非晶¹¹B粉按0.9～1.2：2的比例在玛瑙研钵中充分混合，然后在2～10MPa的压力下制成圆柱小片；然后，放入热重差热分析仪中，在流动的高纯氩气的气氛下，以10～40℃/min的速率升温至450～800℃，保温5～15小时，随后炉以10～40℃/min的冷却速度降至室温，合成Mg¹¹B₂同位素超导块体。本发明通过低温固相烧结的方法获得高载流“低活性”的Mg¹¹B₂超导块体材料。其晶体结构为六方结构；临界转变温度较高，化学性质稳定，成分简单，无污染，原料来源广泛，制备成本和使用成本都较低，具有广泛的应用前景。

主权项

一种低温烧结Mg¹¹B₂同位素超导块体的方法，其特征是步骤如下：(1)将Mg粉和非晶¹¹B粉按0.9～1.2：2的比例在玛瑙研钵中混合，然后在2～10MPa的压力下制成圆柱小片；(2)将圆柱小片放入热重差热分析仪中，在流动的高纯氩气的气氛下，以10～40℃/min的速率升温至450～800℃，保温5～15小时，随后炉以10～40℃/min的冷却速度降至室温，合成Mg¹¹B₂同位素超导块体。