[发明专利]碳化硅膜的共形沉积

摘要

本发明涉及碳化硅膜的共形沉积。本发明公开了用于提供碳化硅膜的方法和系统。碳化硅层可以是在采用一种或多种具有一个或多个硅-氢键和/或硅-硅键的含硅前体的工艺条件下提供的。所述含硅前体还可以具有一个或多个硅-氧键和/或硅-碳键。处于基本上低能量状态的一种或多种自由基物质可与含硅前体反应以形成碳化硅膜。所述一种或多种自由基物质可在远程等离子体源中形成。

主权项

一种在衬底上沉积碳化硅膜的方法，所述方法包括：(a)提供所述衬底到反应室；(b)提供含硅前体到所述衬底，其中所述含硅前体具有(i)一个或多个硅‑氢键和/或硅‑硅键，(ii)不具有碳‑氧键；以及(iii)不具有碳‑氮键；以及(c)从源气体引入处于基本上低能量状态的一种或多种自由基物质以与所述含硅前体反应，以在破坏所述含硅前体的硅‑氢键或硅‑硅键但基本维持所述含硅前体的硅‑碳键的条件下在所述衬底上形成所述碳化硅膜。