[发明专利]一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术

摘要

本发明提供一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术，所述技术包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成氮化铝多晶薄膜；对所述氮化铝多晶薄膜进行热氧化处理，形成氮化氧铝多晶层；以氮化氧铝多晶层作为缓冲层，在其上进行氮化物的外延生长。本发明的优点在于，氮化氧铝具有良好的晶格失配弛豫作用，能缓解用于生长氮化物基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配，减小应力，形成柔性应变协变层，柔性地缓冲了外延层和衬底间的应力，可获得低位错密度、高晶体质量的晶体薄膜，与现有半导体技术兼容，重复性好，利于大规模生产。同时氮化氧铝具有良好的热、化学稳定性，不易与衬底和外延层之间发生界面反应，避免外延层的杂质沾污。

主权项

1.一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成氮化铝多晶薄膜；对所述氮化铝多晶薄膜进行部分热氧化处理，形成部分覆盖所述衬底的氮化氧铝多晶层，未被所述氮化氧铝多晶层覆盖的所述衬底被所述氮化铝多晶薄膜覆盖；以氮化氧铝多晶层作为缓冲层，在其上进行氮化物的外延生长。