[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610085852.4 | 申请日： | 2016-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106057672B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;蔡庆威;王志豪;连万益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的方法，包括形成包括阱层、阱层上方设置的氧化物层和氧化物层上方设置的沟道层的鳍结构。形成隔离绝缘层，从而使得鳍结构的沟道层从隔离绝缘层突出，并且氧化物层的一部分或全部嵌入隔离绝缘层中。在鳍结构上方形成栅极结构。通过蚀刻鳍结构的未被栅极结构覆盖的部分形成凹部，从而暴露氧化物层。在暴露的氧化物层中形成凹槽。外延晶种层在氧化物层中的凹槽中。在凹部中和上面形成外延层。外延层和外延晶种层接触。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：形成包括阱层、所述阱层上方设置的氧化物层和所述氧化物层上方设置的沟道层的鳍结构；形成隔离绝缘层，从而使得所述鳍结构的沟道层从所述隔离绝缘层突出，并且所述氧化物层的至少一部分或所述氧化物层的全部嵌入所述隔离绝缘层中；在所述鳍结构的一部分上方和所述隔离绝缘层上方形成栅极结构；通过蚀刻所述鳍结构的未被所述栅极结构覆盖的部分来形成凹部，从而暴露所述氧化物层；在暴露的氧化物层中形成凹槽；在所述氧化物层中的凹槽中形成外延晶种层；以及在所述凹部中和上面形成外延层，其中，所述外延层与所述外延晶种层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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