[发明专利]光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法

摘要

本发明涉及光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法。该光电半导体芯片(100)具有：第一半导体层序列(1)，所述第一半导体层序列包括多个V形缺陷(11)；和第二半导体层序列(2)，所述第二半导体层序列包括有源区(12)，其中所述第一半导体层序列(1)和所述第二半导体层序列(2)基于氮化物‑化合物半导体材料，所述第一半导体层序列(1)在生长方向上位于所述第二半导体层序列(2)之前，所述V形缺陷(11)形成对所述有源区(12)的静电放电保护，所述V形缺陷中的大部分具有同种的电学性质，尤其同种的击穿特性，所述V形缺陷中的至少75％具有相似的尺寸，以及所述V形缺陷的密度至少为10⁸/cm²。

主权项

1.一种光电半导体芯片(100)，具有：‑第一半导体层序列(1)，所述第一半导体层序列包括多个V形缺陷(11)；和‑第二半导体层序列(2)，所述第二半导体层序列包括有源区(12)，其中‑所述第一半导体层序列(1)和所述第二半导体层序列(2)基于氮化物‑化合物半导体材料，‑所述第一半导体层序列(1)在生长方向上位于所述第二半导体层序列(2)之前，‑所述V形缺陷(11)形成对所述有源区(12)的静电放电保护，‑所述V形缺陷(11)中的大部分具有同种的电学性质，‑所述V形缺陷(11)中的至少75％具有相似的尺寸，‑所述V形缺陷(11)中的至少一个包括pn结，‑所述有源区(12)包括至少一个pn结，其中‑所述V形缺陷(11)的pn结和所述有源区(12)的pn结被整流，并且‑所述V形缺陷(11)的pn结在导通方向上具有比所述有源区(12)的pn结更高的启动电压(UF)，以及‑所述V形缺陷(11)的密度至少为1*108/cm2。