[发明专利]结型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610086760.8 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105609568B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结型场效应晶体管，其栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层。本发明通过在结型场效应晶体管的结构中加入阱埋层，将JFET栅下的沟道分为上下几个部分，由于最上端的沟道宽度远小于最下端的沟道宽度，沟道电流经过栅下面时几乎全部分流到最下端沟道，而连接栅极的最上端沟道几乎没有电流，也就没有碰撞电离，没有多子漂移，从而大幅降低了栅极漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.结型场效应晶体管，其特征在于，该结型场效应晶体管的栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层；所述阱埋层位于所述沟道区中，所述阱埋层将所述栅极下方的所述沟道区分成上下几个部分，最后一个所述阱埋层下面的所述沟道区的最下端沟道的宽度大于第一个所述阱埋层和所述栅极之间的所述沟道区的对应的最上端沟道的宽度，所述最下端沟道的宽度大于所述最上端沟道的宽度的结构使得沟道电流向全部从所述最下端沟道中通过趋近以及使通过所述最上端沟道的电流的大小趋于0，从而降低栅极漏电流。
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