[发明专利]一种半导体电热膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体电热膜的制备方法，主要包括如下步骤：清洗基底；配制源溶液，其中，源溶液由四氯化锡20‑30份，石墨10‑30份，三氯化锑10‑20份等组成；喷涂基底；第一次热处理；浸渍成膜；第二次热处理。根据本发明的制备方法制备得到的半导体电热膜在基底上具有较强的附着力，在190N以上，泄漏电流小于0.10mA，电热转换效率大于等于99%，方块电阻为45‑400Ω/□，寿命在5000小时以上。

主权项

一种半导体电热膜的制备方法，其特征在于包括下列步骤：（1）清洗基底：将基底用蒸馏水清洗干净，烘干待用；（2）配制源溶液：称取下列重量份组分，混合后，加热至40‑80℃，搅拌1‑2h，即得半导体电热膜源溶液：四氯化锡20‑30份，石墨10‑30份，三氯化锑10‑20份，四氯化钛2‑8份，氟硼酸0.6‑1.5份，富勒烯0.1‑0.8份，氯化钠0.3‑0.5份，水1‑3份，甲苯2‑4份，乙醇30‑50份；（3）喷涂基底：将步骤（1）的基底置于加热腔体内，控制加热腔温度在400‑600℃范围内，待基底表面温度达到300‑500℃，将步骤（2）中所得的半导体电热膜源溶液雾化喷涂至基底表面；（4）第一次热处理：将加热腔内的基底加热至600‑800℃，优选地，加热至600‑700℃，保持1‑2h；然后，取出基底，自然冷却至300‑450℃，优选地，冷却至350‑400℃（5）浸渍成膜：将经步骤（4）处理的基底浸入步骤（2）所得的半导体电热膜源溶液中，提拉成膜，提拉成膜条件为：50‑100mm/min；（6）第二次热处理：将步骤（5）处理后的基底在900‑1000℃下热处理30‑60min，自然冷却至室温，获得半导体电热膜。