[发明专利]抛光半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 201610087216.5 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106553119B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | Y·郭;D·莫斯利 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡嘉倩;陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于具有暴露的二氧化硅特征的衬底的化学机械抛光的工艺，包括：提供化学机械抛光组合物，其含有以下各者作为初始组分：水、胶态二氧化硅研磨剂和氧锆化合物；其中所述化学机械抛光组合物的pH值≤6；给化学机械抛光衬垫提供抛光表面；将所述化学机械抛光组合物接近所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的界面分配到所述化学机械抛光衬垫的所述抛光表面上；和在所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的所述界面处创造动态接触；其中所述衬底经抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抛光衬底的方法，包括：提供所述衬底，其中所述衬底具有暴露的二氧化硅特征；提供化学机械抛光组合物，包括以下各者作为初始组分：水，0.01重量％到40重量％的胶态二氧化硅研磨剂；氧锆化合物；以及，0重量％的氧化剂；其中所述化学机械抛光组合物的pH值≤6；给化学机械抛光衬垫提供抛光表面；将所述化学机械抛光组合物接近所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的界面分配到所述化学机械抛光衬垫的所述抛光表面上；以及，通过0.69kPa到34.5kPa的向下力在所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的所述界面处创造动态接触；其中所述衬底经抛光；其中所述暴露的二氧化硅特征中的一些经从所述衬底去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，未经罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610087216.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光饰机
- 下一篇：一种自适应抛光磨头及用于光学元件检测的支撑工装
