[发明专利]一种铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料及其晶体生长方法在审
申请号: | 201610087435.3 | 申请日: | 2016-02-16 |
公开(公告)号: | CN105696076A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 张庆礼;林东晖;刘文鹏;孙贵花;罗建乔;彭方;殷绍唐;窦仁勤 | 申请(专利权)人: | 中科九曜科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00;C30B11/00;C30B17/00;C09K11/78 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人: | 程笃庆;黄乐瑜 |
地址: | 231202 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料,由以下化学式组成:CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4,0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料的晶体生长方法,包括:将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含钇化合物、含钽化合物混合均匀,进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4的多晶原料;将化学式为CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料;将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体,然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 钽酸钇 发光 材料 及其 晶体生长 方法 | ||
【主权项】:
一种铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料,其特征在于,具有以下化学式组成:CrxTmyHozY1‑x‑y‑zTaO4,其中0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。
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