[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201610087633.X | 申请日: | 2016-02-16 |
公开(公告)号: | CN105895557B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 高桥弘明;久保勇人 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供加快在基板的主面上的第一流体的流速由此良好地除去在基板的主面附着的颗粒等异物的基板处理装置。基板处理装置使用包括第一流体的处理流体对基板实施处理,包括:基板保持单元,保持基板;喷嘴,具有第一筒体,在第一筒体的内部形成有第一流体流通的第一流路,在第一筒体的顶端缘与基板的主面之间划分形成用于将在第一流路内流动的流体沿着基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第一喷出口;支撑构件,支撑喷嘴;喷嘴保持单元,将喷嘴以能够沿着基板的主面的法线方向进行相对位移的状态保持在支撑构件上;第一流体供给单元,向喷嘴的第一流路供给第一流体,通过从第一喷出口喷出第一流体,使离开基板的所述主面的方向的力作用于喷嘴。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,用于使用包括第一流体的处理流体对基板实施处理,其特征在于,包括:基板保持单元,用于保持基板;喷嘴,具有第一筒体,在第一筒体的内部形成有用于第一流体流通的第一流路,在所述第一筒体的顶端缘与所述基板的主面之间划分形成用于将在所述第一流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第一喷出口;喷嘴臂,在所述基板保持单元的上方水平延伸,用于支撑所述喷嘴;接近离开驱动机构,通过使所述喷嘴臂升降,使所述喷嘴相对于所述基板接近/离开;喷嘴保持单元,将所述喷嘴以能够沿着所述基板的所述主面的法线方向相对于所述喷嘴臂进行位移的状态保持在所述喷嘴臂上;第一流体供给单元,向所述喷嘴的所述第一流路供给第一流体,通过从所述第一喷出口喷出第一流体,使离开所述基板的所述主面的方向的力作用于所述喷嘴,所述喷嘴保持单元包括:负载赋予单元,对所述喷嘴赋予沿着所述法线方向的方向的负载;负载调整单元,对从所述负载赋予单元向所述喷嘴赋予的负载的大小进行调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造