[发明专利]RF开关在审
| 申请号： | 201610088020.8 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105897231A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | T·利特纳;J·P·弗斯特纳;U·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及RF开关，具体公开了用于射频信号的双极型晶体管开关。在实施例中，器件包括第一射频(RF)端子、第二RF端子、以及双极型晶体管，其中双极型晶体管的发射极耦合至第一RF端子，并且其中双极型晶体管的集电极端子耦合至第二RF端子。器件还包括基极电流供给电路，被配置为选择性地将基极电流提供至双极型晶体管的基极端子。 | ||
| 搜索关键词： | rf 开关 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：第一射频(RF)端子；第二RF端子；双极型晶体管，其中所述双极型晶体管的发射极端子耦合至所述第一RF端子，以及其中所述双极型晶体管的集电极端子耦合至所述第二RF端子；以及基极电流供给电路，被配置为将基极电流选择性提供至所述双极型晶体管的基极端子。
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