[发明专利]发光组件在审
| 申请号： | 201610089098.1 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105895762A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 郭祐祯;兰彦廷;黄靖恩;赖腾宪;康凯舜 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光组件，包括一磊晶结构、一第一电极、一导电层以及一第二电极。磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层。第一电极设置于第一半导体层上。导电层设置于第二半导体层上，且导电层包括一第一导电区域以及一第二导电区域，其中第一导电区域的电阻小于第二导电区域的电阻。第二电极设置于导电层上，且第二电极具有一延伸部，其中延伸部朝第一电极的方向延伸，且第一导电区域与延伸部至少部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 组件 | ||
【主权项】：
一种发光组件，其特征在于，包括：一磊晶结构，包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；一第一电极，设置于所述第一半导体层上；一导电层，设置于所述第二半导体层上，所述导电层包括一第一导电区域以及一第二导电区域，所述第一导电区域的电阻小于所述第二导电区域的电阻；以及一第二电极，设置于所述导电层上，所述第二电极具有一延伸部，所述延伸部朝所述第一电极的方向延伸，所述第一导电区域与所述延伸部至少部分重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新世纪光电股份有限公司，未经新世纪光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610089098.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有阱区掺杂的发光二极管
- 下一篇：LED外延接触层生长方法
