[发明专利]集成MOS场效应管逆变器的太阳能电池板的制造方法有效
申请号: | 201610089519.0 | 申请日: | 2016-02-18 |
公开(公告)号: | CN105514196B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 朱桂林 | 申请(专利权)人: | 苏州佳亿达电器有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 215151 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种集成MOS场效应管逆变器的太阳能电池板的制造方法,包括步骤一、提供一绝缘衬套,其内设置有矩形凹腔,在所述凹腔的底部配置第一导电型的衬底;步骤二、在所述衬底的上端配置第一导电型的外延层;步骤三、在所述外延层的上部配置四个第二导电型的体区,四个所述体区设置有两组漏极和源极,每组漏极和源极之间设置有栅极;步骤四、形成四个独立的MOS场效应管;步骤五、将电池板底部与所述衬套底部连接;步骤六、将电池板与漏极和源极连接。本发明解决了太阳能电池板交直流电能转换不便的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 集成 mos 场效应 逆变器 太阳能 电池板 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种集成MOS场效应管逆变器的太阳能电池板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、提供一绝缘衬套,其内设置有矩形凹腔,在所述凹腔的底部配置第一导电型的衬底;步骤二、在所述衬底的上端配置第一导电型的外延层,所述外延层的上端与所述凹腔的上端齐平;步骤三、在所述外延层的上部配置四个第二导电型的体区,四个所述体区设置有两组漏极和源极,每组漏极和源极之间设置有栅极;步骤四、在所述衬底和外延层上的宽度方向开设有第一绝缘沟道,同时在所述衬底和外延层上的长度方向开设有第二绝缘沟道,形成四个独立的MOS场效应管,所述第一、第二绝缘沟道的深度与所述凹腔的深度一致;步骤五、将电池板底部与所述衬套底部连接;步骤六、将所述电池板的上电极分别与第一和第三个场效应管的漏极连接,第一个场效应管的源极与第二个场效应管的漏极连接,第三个场效应管的源极与第四个场效应管的漏极连接,第二和第四个场效应管的源极分别与所述电池板的下电极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州佳亿达电器有限公司,未经苏州佳亿达电器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610089519.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法
- 下一篇:半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的