[发明专利]磁传感器有效
申请号: | 201610089953.9 | 申请日: | 2016-02-17 |
公开(公告)号: | CN105891739B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 驹﨑洋亮 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02;G01P3/44;G01B7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;沈娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种磁传感器。磁传感器包括MR元件和偏置磁场发生部。MR元件具有沿着Z方向层叠的磁化固定层、非磁性层和自由层。偏置磁场发生部具有沿Z方向层叠的第一反铁磁性层、铁磁性层和第二反铁磁性层。偏置磁场发生部具有位于Z方向的两端的第一端面和第二端面。MR元件配置成,MR元件整体被包括在将与偏置磁场发生部的第一端面相当的假想平面沿着Z方向向与第二端面相反侧移动而形成的空间内。 | ||
搜索关键词: | 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种磁传感器,其特征在于:包括:用于检测作为检测对象的磁场的至少一个磁检测元件;和用于产生对所述至少一个磁检测元件施加的偏置磁场的偏置磁场发生部,所述偏置磁场发生部包括沿第一方向层叠的铁磁性层和第一反铁磁性层,并且具有位于所述第一方向的两端的第一端面和第二端面,所述铁磁性层具有位于所述第一方向的两端的第一面和第二面,所述第一反铁磁性层与所述铁磁性层的所述第一面接触而与所述铁磁性层交换耦合,所述铁磁性层具有与第二方向平行的方向的磁化,该第二方向与所述第一方向正交,所述至少一个磁检测元件的位置上的所述偏置磁场包括与所述铁磁性层的所述磁化的方向相反方向的分量,所述偏置磁场发生部的所述第一端面包括各自具有面积的第一端部区域、第二端部区域和中央区域,所述第一端部区域包括位于所述第一端面的所述第二方向的一端的第一端部,所述第二端部区域包括位于所述第一端面的所述第二方向的另一端的第二端部,所述中央区域位于所述第一端部区域和所述第二端部区域之间,以正交于所述第二方向的第一边界线为界与所述第一端部区域相邻,并且以正交于所述第二方向的第二边界线为界与所述第二端部区域相邻,所述至少一个磁检测元件配置成,所述至少一个磁检测元件整体被包括在将与所述中央区域相当的假想平面沿着所述第一方向向与所述偏置磁场发生部的所述第二端面相反的一侧移动而形成的空间内。
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