[发明专利]半导体装置以及半导体模块有效
| 申请号： | 201610089977.4 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105679731B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 中村浩之;冈田章;野尻荣治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体装置(1)中，在半导体基板(3)的表面侧的区域配置有元件形成区域，在该元件形成区域形成有对电流进行控制的半导体元件。终端区域以包围该元件形成区域的方式而配置。在栅极电极(9)配置有针抵接区域(13)和导线区域(15)。针抵接区域和导线区域由形成于栅极电极的表面处的绝缘体(17)进行了分隔。因此，针抵接区域的表面和导线区域的表面位于相同的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 模块 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：半导体基板，其具有彼此相对的第1主面及第2主面；元件形成区域，其规定于所述半导体基板的所述第1主面侧；终端区域，其规定于所述半导体基板的所述第1主面侧，以包围所述元件形成区域的方式而配置；以及第1主面侧电极，其形成于所述元件形成区域，包含第1电极和第2电极，该第1电极配置有第1区域及第2区域，所述第1区域和所述第2区域由形成于所述第1电极的表面处的分隔部件进行分隔，所述第1区域形成为具有长边和与所述长边交叉的短边的矩形状，所述长边沿着在电气评价时与所述第1区域接触的接触探针的前端部的滑动方向，所述第2区域配置于所述第1区域的所述长边侧。
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