[发明专利]基于磁光耦合的弱磁传感器及磁场测量方法有效

专利信息
申请号: 201610090226.4 申请日: 2016-02-18
公开(公告)号: CN105487024B 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 罗志会;刘亚;陈思;谭超;潘礼庆;杨先卫;陈小刚;肖焱山;何慧灵;曾曙光;王习东 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 李娜
地址: 443000*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于磁光耦合的弱磁传感器及磁场测量方法,涉及磁场特性的测量装置技术领域。所述传感器包括基座、磁致伸缩体、双面法拉第反射镜、光纤准直探头、单模光纤以及迈克尔逊干涉装置。磁致伸缩体一端与基座机械固定连接,另一端与双面法拉第反射镜粘贴在一起;光纤准直探头通过单模光纤与迈克尔逊干涉装置连接,光纤准直器探头、双面法拉第反射镜中心在一条轴线上。本发明利用磁致伸缩体去感测外界磁场,带动反射镜线性位移,通过迈克尔逊光学干涉仪实现位移‑相位的光电转换和检测,进而获取磁场大小。该传感器避免了传统磁电传感器的复杂设计,有效减小温度的影响,灵敏度高,重复性好,可实现复杂磁电环境下的高精度弱磁场探测。
搜索关键词: 基于 耦合 传感器 磁场 测量方法
【主权项】:
1.一种基于磁光耦合的弱磁传感器,其特征在于:包括基座(1)、磁致伸缩体(2)、双面法拉第反射镜(3)和等臂长迈克尔逊干涉仪,所述磁致伸缩体(2)的一端与基座(1)机械固定连接,另一端与双面法拉第反射镜(3)粘接,当磁致伸缩体(2)在外磁场的作用下产生长度变化时,改变双面法拉第反射镜(3)的位置,双面法拉第反射镜(3)的位置变化量被等臂长迈克尔逊干涉仪检测和处理后,将相应的磁致伸缩体(2)的长度变化量转换为磁场的大小。
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