[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

摘要

本发明涉及在真空气氛下向基板供给处理气体来对该基板进行处理时，抑制载置台上的基板的伴随着压力变化的滑动。向载置于载置台(3)上的晶片(W)供给处理气体，并且将真空容器(2)内的设定压力设定为第一压力，之后，将设定压力变更为比第一压力低的第二压力。而且，在变更设定压力的同时，用升降销(41)使晶片从载置台上升。当将设定压力从第一压力变更为第二压力时，进入到载置台表面与晶片之间的处理气体被排出，由于该处理气体流的作用，载置台表面的晶片滑动。因此，在变更设定压力时通过升降销使晶片从载置台上升，利用由3根升降销的顶端支承晶片。由此，静摩擦力增大，处理中的载置台上的晶片的滑动被抑制。

主权项

一种基板处理装置，其用于在真空气氛下向基板供给处理气体来对所述基板进行处理，所述基板处理装置的特征在于，包括：设置在真空容器内的基板的载置台；向所述真空容器内供给处理气体的气体供给部；对所述真空容器内进行真空排气的真空排气部；升降部件，其在从所述载置台的表面突出到上方的上升位置和与该表面的高度相同或比该表面的高度低的下降位置之间进行升降，并且以保持所述载置台上的基板的方式使所述基板升降；和控制部，其输出控制信号以执行以下步骤：第一步骤，向载置于所述载置台上的基板供给处理气体，并且将真空容器内的设定压力设定为第一压力；第二步骤，在所述第一步骤之后，将所述设定压力变更为比第一压力低的第二压力；和第三步骤，在所述第一步骤之后，在将设定压力变更为第二压力之前或变更的同时，用所述升降部件使基板从载置台上升。