[发明专利]具有强化的晶片接合的集成电路堆叠

摘要

本申请案涉及具有强化的晶片接合的集成电路堆叠。一种集成电路系统包含第一装置晶片及第二装置晶片。晶片接合区域安置在所述第一装置晶片的第一电介质层的前侧与所述第二装置晶片的第二电介质层的前侧的界面处，使得晶片接合区域将所述第一装置晶片接合到所述第二装置晶片。所述晶片接合区域包含具有比所述第一装置晶片及所述第二装置晶片的所述第一电介质层及所述第二电介质层的电介质材料高的硅浓度的电介质材料。导电路径将所述第一装置晶片的第一导体耦合到所述第二装置晶片的第二导体。所述导电路径形成于在所述第一导体与所述第二导体之间穿过所述晶片接合区域蚀刻出的腔中。

主权项

一种集成电路系统，其包括：第一装置晶片，其具有接近包含安置于第一电介质层内的第一导体的第一金属层的第一半导体层；第二装置晶片，其具有接近包含安置于第二电介质层内的第二导体的第二金属层的第二半导体层；晶片接合区域，其安置于所述第一装置晶片的所述第一电介质层的前侧与所述第二装置晶片的所述第二电介质层的前侧的界面处，使得晶片接合区域将所述第一装置晶片接合到所述第二装置晶片，其中所述晶片接合区域包含具有与所述第一装置晶片及所述第二装置晶片的所述第一电介质层及所述第二电介质层的电介质材料相比较高的硅浓度的电介质材料；以及导电路径，其将所述第一导体耦合到所述第二导体，其中所述导电路径形成于在所述第一导体与所述第二导体之间穿过所述晶片接合区域蚀刻出的腔中。