[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610090319.7 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN106469697A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 杨天中;黄麟智;陈宪伟;苏安治;黄立贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的导电焊盘以及位于导电焊盘上方的导体。半导体器件还具有设置在半导体衬底上方并环绕导体的聚合材料。半导体器件还包括位于导体和聚合材料之间的导电层。在半导体器件中，导电层和聚合材料之间的粘合强度大于聚合材料和导体之间的粘合强度。本发明还提供了半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；导电焊盘，位于所述半导体衬底上；导体，位于所述导电焊盘上方；聚合材料，位于所述半导体衬底上方并环绕所述导体；以及导电层，位于所述导体和所述聚合材料之间，其中，所述导电层和所述聚合材料之间的粘合强度大于所述聚合材料和所述导体之间的粘合强度。
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