[发明专利]基于硅通孔的温度传感器及温度测量方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610090910.2 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107091697B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/34 | 分类号： | G01K7/34;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于硅通孔的温度传感器及温度测量方法、电子装置。所述温度传感器包括：硅通孔电容器，所述硅通孔电容器的电容值随温度的变化而变化；电容传感及放大单元，用于基于所述硅通孔电容器的电容值变化输出放大了的电容差信号；电容温度转换单元，用于将上述电容差信号转换为温度信号。本发明所述温度传感器包括硅通孔电容器、电容传感及放大单元和电容温度转换单元，其中所述硅通孔电容器的电容值随温度的变化而变化，所述电容传感及放大单元基于所述硅通孔电容器的电容值变化输出放大了的电容差信号，电容温度转换单元将上述电容差信号转化为温度信号，通过所述方法可以对温度进行准确的监控。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅通孔 温度传感器 温度 测量方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种基于硅通孔的温度传感器，其特征在于，所述温度传感器包括：硅通孔电容器，所述硅通孔电容器的电容值随温度的变化而变化；电容传感及放大单元，用于基于所述硅通孔电容器的电容值变化输出放大了的电容差信号；电容温度转换单元，用于将上述电容差信号转换为温度信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610090910.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
