[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201610090981.2 | 申请日: | 2016-02-18 |
公开(公告)号: | CN105895560B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 小林健司;泽岛隼;西村优大;波多野章人;岛井基行;林豊秀 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置,该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个上游流路包括分支成多个下游流路的分支上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置,将经由多个上游流路供给的处理液向由基板保持单元保持的基板的上表面喷出。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:基板保持单元,一边将基板保持为水平,一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂旋转轴线旋转,处理液供给系统,包括供给流路、多个上游流路、多个下游流路、多个喷出口,向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液;所述供给流路将处理液向多个所述上游流路引导,多个所述上游流路从所述供给流路分支,将从所述供给流路供给的处理液向多个所述喷出口引导,多个所述喷出口包括主喷出口和多个副喷出口,所述主喷出口向所述基板的上表面中央部喷出处理液,多个所述副喷出口向从所述上表面中央部离开且距所述旋转轴线的距离不同的所述基板的上表面内的多个位置分别喷出处理液,多个所述喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置,将经由多个所述上游流路供给的处理液向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出,多个所述上游流路包括与所述主喷出口连接的主上游流路和经由多个所述下游流路与多个所述副喷出口连接的多个副上游流路,多个所述副上游流路都是分支成多个所述下游流路的分支上游流路,在每个所述下游流路设置有所述副喷出口,所述处理液供给系统还包括上游加热器和多个下游加热器,所述上游加热器以上游温度对向所述供给流路供给的处理液进行加热,多个所述下游加热器分别与多个所述副上游流路连接,以比所述上游温度高的下游温度对在多个所述副上游流路内流动的处理液进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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