[发明专利]填充凹部的方法以及处理装置有效

申请号：	201610090996.9	申请日：	2016-02-18
公开（公告）号：	CN105895506B	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	千叶洋一郞;入宇田启树;铃木大介	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	刘新宇;张会华
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种填充凹部的方法以及处理装置。该填充凹部的方法用于填充被处理体的凹部，其中，该方法包括如下工序：沿着划分形成凹部的壁面形成实质上不含有杂质的半导体材料的第1薄膜；通过在容器的内侧对被处理体进行退火，由第1薄膜的朝向凹部的底部移动了的半导体材料形成与半导体基板的结晶相应的外延区域；对第1薄膜的残留于凹部的壁面的部分进行蚀刻；对外延区域进行气相掺杂；沿着划分形成凹部的壁面形成实质上不含有杂质的半导体材料的第2薄膜；通过在容器的内侧对被处理体进行退火，由第2薄膜的朝向凹部的底部移动了的半导体材料进一步形成外延区域；对第2薄膜的残留于凹部的壁面的部分以及外延区域进行气相掺杂。
搜索关键词：	填充方法以及处理装置
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【主权项】：

1.一种填充凹部的方法，其用于填充被处理体的凹部，/n该被处理体包括半导体基板以及设于该半导体基板上的绝缘膜，所述凹部贯通所述绝缘膜而延伸到所述半导体基板的内部，其中，/n该方法包括如下工序：/n沿着划分形成所述凹部的壁面形成实质上不含有杂质的半导体材料的第1薄膜的工序；/n通过在容器的内侧对所述被处理体进行退火、由所述第1薄膜的朝向所述凹部的底部移动了的半导体材料形成与所述半导体基板的结晶相应的外延区域的工序；/n对所述第1薄膜的残留于所述凹部的所述壁面的部分进行蚀刻的工序；/n对所述外延区域进行气相掺杂的工序；/n沿着划分形成所述凹部的壁面形成实质上不含有杂质的半导体材料的第2薄膜的工序；/n通过在所述容器的内侧对所述被处理体进行退火、由所述第2薄膜的朝向所述凹部的底部移动了的半导体材料进一步形成外延区域的工序；以及/n对所述第2薄膜的残留于所述凹部的所述壁面的部分以及所述外延区域进行气相掺杂的工序，/n其中，该方法还在对所述第2薄膜以及所述外延区域进行气相掺杂的所述工序之后具有对所述第2薄膜的残留于所述凹部的所述壁面的部分进行蚀刻的工序，/n其中，对所述第2薄膜进行蚀刻的蚀刻速度比对所述外延区域进行蚀刻的蚀刻速度快。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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