[发明专利]低温键合方法

摘要

本发明涉及一种低温键合方法，是一种用于组装第一元件和第二元件的方法，所述第一元件包括至少一个第一衬底或者至少一个芯片，所述第二元件包括至少一个第二衬底，该方法包括：a)在每个衬底上形成被称为键合层的表面层，这些键合层的至少其中之一是在小于或等于300℃的温度下形成的；b)在组装之前对所述键合层进行被称为脱气退火的第一退火，所述第一退火至少部分在至少等于后续的键合界面强化温度(Tr)但低于450℃的温度下进行；c)通过使所述键合层的暴露表面接触来组装所述衬底；d)组装好的结构在低于450℃的键合界面强化温度(Tr)下退火。

主权项

一种用于组装第一元件和第二元件的方法，所述第一元件包括至少一个第一衬底(2)或者至少一个芯片(22，24，26，28)，所述第二元件包括至少一个第二衬底(12)，该方法包括：a)在每个衬底上形成被称为键合层的表面层(4，4’₂，4’₄，4’₆，4’₈，14)，这些键合层的至少其中之一是在小于或等于300℃的温度下形成的；b)在组装之前对所述键合层进行被称为脱气退火的第一退火，所述第一退火至少部分地在至少等于后续的键合界面强化温度Tr且高于350℃但低于450℃的温度下进行，而不会导致所述键合层的多孔性的显著降低；c)通过使所述键合层(4，4’₂，4’₄，4’₆，4’₈，14)的暴露表面接触来组装所述衬底；d)组装好的结构在高于350℃且低于450℃的键合界面强化温度Tr下退火。