[发明专利]IGBT管保护方法、保护电路以及使用该保护电路的功率模块有效
| 申请号： | 201610091199.2 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN105529679B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李祥;吴美飞 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/24 | 分类号： | H02H3/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了IGBT管保护方法、保护电路以及使用该保护电路的方法。该保护电路包括：欠压保护控制信号产生电路，检测一IGBT管的集电极‑发射极电压，当所述IGBT管在导通时其所述集电极‑发射极电压高于一安全阈值时，产生欠压保护控制信号；驱动电路，与所述欠压保护控制信号产生电路耦接，根据所述欠压保护控制信号，关闭所述驱动电路，使所述IGBT管截止。本发明克服了传统保护电路中存在的保护触发值设置过高造成频繁发生保护或触发值设置过低则IGBT管长期处于线性区导致发热量过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 保护 方法 电路 以及 使用 功率 模块 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT管保护方法，包括以下步骤：a)检测IGBT管的集电极‑发射极电压，根据所述集电极‑发射极电压，产生电压检测信号；b)当所述IGBT管在导通时其所述集电极‑发射极电压高于一安全阈值时，产生欠压保护控制信号；以及c)所述欠压保护控制信号关闭一驱动电路，使所述IGBT管截止，其中所述产生电压检测信号的步骤包括：a1)在所述IGBT管截止时，输出表示所述IGBT管截止的所述电压检测信号；a2)在所述IGBT管的集电极‑发射极电压高于所述安全阈值时，输出表示所述IGBT管在导通时其所述集电极‑发射极电压高于所述安全阈值的所述电压检测信号；a3)在所述IGBT管的集电极‑发射极电压不高于所述安全阈值时，输出表示所述IGBT管进入饱和导通的所述电压检测信号。
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