[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。在包括在半导体器件中混在一起的分离栅极型MONOS存储器以及具有部分地嵌入在形成在半导体衬底的主表面中的沟槽中的上电极的沟槽电容器元件的半导体器件中，嵌入在沟槽中的上电极的顶表面的平整度得到改进。形成在半导体衬底之上以形成形成MONOS存储器的存储器单元的控制栅极电极的多晶硅膜嵌入在形成在电容器元件形成区域中的半导体衬底的主表面中的沟槽中，从而形成包括有在沟槽中的多晶硅膜的上电极。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有沿着主表面布置的第一区域和第二区域；(b)在所述第二区域中的所述半导体衬底的主表面中形成第一沟槽；(c)用第一绝缘膜覆盖所述第一沟槽的侧壁和底表面；(d)在所述步骤(c)之后，在所述第一区域和所述第二区域中的所述半导体衬底的主表面之上形成第一导体膜，并且从而将所述第一导体膜经由所述第一绝缘膜嵌入所述第一沟槽中；(e)处理在所述第一区域中的所述第一导体膜，并且从而形成由所述第一导体膜形成的控制栅极电极；(f)在所述控制栅极电极的侧壁处经由在其内部具有电荷累积部分的第二绝缘膜形成存储器栅极电极；(g)处理所述第一导体膜，并且从而形成由填充在所述第二区域中的所述第一沟槽的所述第一导体膜形成的第一电极；以及(h)在所述步骤(f)之后，在所述第一区域中的所述半导体衬底的主表面中形成第一源极/漏极区域对，其中所述控制栅极电极、所述存储器栅极电极和所述第一源极/漏极区域对形成非易失性存储器的存储器单元，以及其中所述第一电极和在所述第一电极之下的所述半导体衬底形成电容器元件。