[发明专利]填充凹部的方法以及处理装置有效
| 申请号： | 201610091405.X | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN105895512B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 千叶洋一郞;山田匠;铃木大介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种填充凹部的方法以及处理装置。该填充凹部的方法用于填充被处理体的凹部，其中，该被处理体具有半导体基板以及设于该半导体基板上的绝缘膜，凹部贯通绝缘膜而延伸到半导体基板的内部，该方法包括如下工序：沿着划分形成凹部的壁面形成半导体材料的第1薄膜；对第1薄膜进行气相掺杂；通过在容器内对被处理体进行退火，不使气相掺杂后的第1薄膜移动，而沿着半导体基板的划分形成凹部的面由第1薄膜的半导体材料形成与半导体基板的结晶相应的外延区域；沿着划分形成凹部的壁面形成半导体材料的第2薄膜；通过在容器内对被处理体进行退火，由第2薄膜的朝向凹部的底部移动了的半导体材料进一步形成外延区域。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 方法 以及 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种填充凹部的方法，其用于填充被处理体的凹部，其中，/n该被处理体具有半导体基板以及设于该半导体基板上的绝缘膜，所述凹部贯通所述绝缘膜而延伸到所述半导体基板的内部，该方法包括如下工序：/n沿着划分形成所述凹部的壁面形成半导体材料的第1薄膜的工序；/n对所述第1薄膜进行气相掺杂的工序；/n在容器内对所述被处理体进行退火、从而在使气相掺杂后的所述第1薄膜不移动的状态下、沿着所述半导体基板的划分形成所述凹部的面由所述第1薄膜的半导体材料形成与所述半导体基板的结晶相应的外延区域的工序；/n沿着划分形成所述凹部的壁面形成半导体材料的第2薄膜的工序；/n在所述容器内对所述被处理体进行退火、由此由所述第2薄膜的朝向所述凹部的底部移动了的半导体材料进一步形成外延区域的工序。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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