[发明专利]SOI和体硅混合晶圆结构及其制备方法

摘要

本发明公开了SOI和体硅混合晶圆的结构和制备方法，以绝缘体上硅(SOI)晶圆为衬底，制备SOI结构与体硅结构共存的混合晶圆，以作为光路电路单片集成芯片的衬底。SOI结构和体硅结构并存的混合晶圆，其特征在于，混合晶圆由SOI结构部分和体硅部分混合组成；绝缘体上硅部分包括顶硅层、埋氧层和硅衬底，体硅部分为单晶硅结构；SOI区域为光路区域，体硅区域为电路区域。制备方法包括在起始SOI晶圆上依靠光刻和刻蚀产生制备体硅区域的窗口，通过常规外延的方法生长体硅区域，再通过平坦化工艺去除不需要的多晶硅使表面平整；制备方法其特征还在于在SOI区域和体硅区域间隔离的选择、外延工艺的选择和平坦化工艺的选择。

主权项

SOI和体硅混合晶圆结构，其特征在于，晶圆由绝缘体上硅(SOI)结构部分和体硅部分混合组成；绝缘体上硅部分包括顶硅层、埋氧层和体硅衬底，体硅部分为单晶硅结构；绝缘体上硅部分和体硅部分之间有多晶硅和缺陷区域带。