[发明专利]多晶硅生产工艺有效
| 申请号： | 201610092668.2 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN107098348B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;郭金强 | 申请（专利权）人： | 巴彦淖尔聚光硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 储照良 |
| 地址： | 015500 内蒙古自治区巴彦淖尔市*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多晶硅生产工艺，包括如下步骤：硅棒初步生长步骤：在还原炉里通入氢气和二氯二氢硅，在硅芯表面生成多晶硅使硅棒生长到预定尺寸；硅棒完整生长步骤：通入三氯氢硅、二氯二氢硅和氢气的混合气体，完成硅棒生长；开炉步骤:待硅棒生长完成后，打开还原炉，取出硅棒。本发明的多晶硅生产工艺，采用两段生长的方式，开始采用二氯二氢硅和氢气反应的方式，比常规氢气还原三氯氢硅的方式生长速度快，一般倒棒的事故多发生在晶棒生长的前期，这就减少倒棒发生的可能，本发明的多晶硅生产工艺，能够减少倒棒率，降低生产成本。硅棒完整生长阶段，加入有部分二氯二氢硅，可以有效地增加硅的生成率，提高原料的转化效率10%到15%。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 生产工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅生产工艺，包括如下步骤：硅棒初步生长步骤：在还原炉里通入氢气和二氯二氢硅，在硅芯表面生成多晶硅使硅棒生长到预定尺寸；硅棒完整生长步骤：通入三氯氢硅、二氯二氢硅和氢气的混合气体，完成硅棒生长；开炉步骤:待硅棒生长完成后，打开还原炉，取出硅棒。
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