[发明专利]一种硒化锡光伏薄膜的制备方法在审
申请号: | 201610093017.5 | 申请日: | 2016-02-20 |
公开(公告)号: | CN107104159A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 刘科高;刘振国;许超 | 申请(专利权)人: | 济南领飞电气设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;C03C17/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250013 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种硒化锡光伏薄膜的制备方法,属于光伏薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗基片,然后将SnCl2·2H2O和SeO2放入溶剂中,用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的密闭容器中,使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触,将装有前躯体薄膜样品的密闭容器进行加热,取出样品冷却、干燥,得到硒化锡光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得硒化锡光伏薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的硒化锡光伏薄膜提供了一种低成本、可实现工业化的生产方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 硒化锡光伏 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硒化锡光伏薄膜的制备方法,包括如下顺序的步骤:a. 玻璃或硅基片的清洗;b. 将1.5~2.5份SnCl2·2H2O、0.8~1.5份SeO2放入25~100份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合;c. 制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;d. 将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至160~220℃之间,保温时间10~20小时,然后冷却到室温取出;e. 将步骤d所得产物,进行自然干燥,得到硒化锡光伏薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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