[发明专利]非易失性半导体存储装置及其擦除方法有效
| 申请号： | 201610096009.6 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN106558342B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 水藤克年;白田理一郎 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其擦除方法，其擦除方法包括：步骤(S100)，将所选择的存储单元的数据予以擦除；步骤(S110)，在擦除步骤之后，立即对所选择的存储单元的所有控制栅极统一施加比编程时的编程电压弱的编程电压，由此来进行弱编程；以及步骤(S120)，进行所选择的存储单元的擦除校验。本发明在擦除之后立即实施弱编程，因此可抑制在擦除时引起的绝缘膜中的电荷捕获的产生，由此，较以往抑制绝缘膜的劣化，可增加能保证可靠性的数据重写次数。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置的擦除方法，其特征在于，所述非易失性存储装置具有形成有存储单元的存储器阵列，所述存储单元包含控制栅极、电荷蓄积层及沟道区域，所述擦除方法包括如下步骤：选择步骤，从所述存储器阵列选择要擦除的存储单元；擦除步骤，对所选择的所述存储单元的沟道区域施加擦除电压，将所选择的所述存储单元的所述电荷蓄积层的数据予以擦除；以及弱编程步骤，在所述擦除步骤之后，立即对所选择的所述存储单元的所有控制栅极施加比进行编程时的电压弱的弱编程电压，从而对所选择的所述存储单元统一进行弱编程。
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