[发明专利]一种温度不敏感激光器

摘要

本发明涉及一种温度不敏感激光器(100)，包括：增益区(101)，用于产生激光辐射；反射区(103)，用于反射所述增益区(101)中产生的激光辐射；波导(105)，用于将所述增益区(101)产生的所述激光辐射引导至所述反射区(103)，以及将所述反射区(103)反射的激光辐射引导至所述增益区(101)，其中，所述增益区(101)、所述反射区(103)以及所述波导(105)构成所述半导体激光器(100)的谐振腔，所述波导(105)几乎无热。

主权项

1.一种半导体激光器（100；400），其特征在于，包括：增益区（101；401），用于产生激光辐射；反射区（103；403），用于反射所述增益区（101；401）中产生的激光辐射；波导（105；405），用于将所述增益区（101；401）产生的所述激光辐射引导至所述反射区（103；403），以及将所述反射区（103；403）反射的激光辐射引导至所述增益区（101；401），其中，所述增益区（101；401）、所述反射区（103；403）以及所述波导（105；405）构成所述半导体激光器（100；400）的谐振腔，所述波导（105；405）无热；其中，所述波导（105；405）包含波导层（219）和补偿层（221），其中所述补偿层（221）设置在所述波导层（219）上方，所述补偿层（221）包括折射率在1.8到2.5之间且负温度系数在每摄氏度‑0.5×到‑2×之间的材料；所述半导体激光器（100；400）还包括平面化的氧化层（227），设置在所述波导层（219）和所述补偿层（221）之间，所述波导层（219）通过堆积在堆焊氧化层（225）顶部的平面化的氧化层（227）部分与所述补偿层（221）分离，所述波导层（219）底部有堆焊氧化层（225）。