[发明专利]功率变换装置以及电梯在审
申请号: | 201610096182.6 | 申请日: | 2016-02-22 |
公开(公告)号: | CN105915069A | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 加藤香;森和久;大沼直人;松本洋平 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458;H02M1/32;H02P27/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩聪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种功率变换装置以及电梯,在逆变器侧也进行同步整流的低损耗化,并且在由于异常而导致在逆变器电路中不能进行同步整流控制且开关元件为断开状态的情况下,也能够防止来自感性负载的再生所导致的开关元件的热损坏。PWM整流电路以及逆变器电路具有由具有寄生二极管的SiC-MOSFET或者具有寄生二极管的GaN-MOSFET构成的开关元件,在PWM整流电路的开关元件不连接外部二极管而进行通过使开关元件接通从而使回流电流导通的同步整流控制,在逆变器电路的开关元件反并联连接外部二极管,并且在从感性负载进行再生时进行通过使开关元件接通从而使回流电流导通的同步整流控制。 | ||
搜索关键词: | 功率 变换 装置 以及 电梯 | ||
【主权项】:
一种功率变换装置,具有将从电源供给的第1交流电变换为直流电的PWM整流电路、和将从所述PWM整流电路供给的直流电变换为第2交流电并提供给感性负载的逆变器电路,所述功率变换装置的特征在于,所述PWM整流电路以及所述逆变器电路具有由具有寄生二极管的SiC‑MOSFET或者具有寄生二极管的GaN‑MOSFET构成的开关元件,在所述PWM整流电路的所述开关元件不连接外部二极管而进行通过使所述开关元件接通从而使回流电流导通的同步整流控制,在所述逆变器电路的所述开关元件反并联连接外部二极管,并且在从所述感性负载进行再生时,进行通过使所述开关元件接通从而使回流电流导通的同步整流控制。
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